Samsung и SK hynix собрались выпускать более современную NAND в Китае — без нарушения санкций США

Samsung и SK hynix модернизируют свои заводы в Китае, чтобы выпускать более современную NAND-память, несмотря на экспортные ограничения США. Samsung рассчитывает наладить в Сиане производство 286-слойных чипов, а SK hynix намерена перейти в Даляне на выпуск памяти как минимум со 240 слоями. При этом Samsung обязуется перед США не расширять имеющиеся мощности, а SK hynix этого принципа придерживается по условиям договорённостей с властями США от 2022 года.