Micron перепрыгнет через поколение и выпустит 3D NAND с более чем 400 слоями в следующем году — она будет на 50 % быстрее

Micron решила перепрыгнуть через десятое поколение флеш-памяти и готовит сразу 3D NAND G11 — с более чем 400 слоями вместо 276 у нынешней G9. Компания обещает не просто нарастить плотность хранения данных, но и ускорить передачу информации на 50 %, одновременно снизив энергозатраты. Новая память рассчитана в том числе на будущие ИИ-системы, а её массовый выпуск начнётся во второй половине 2027 года.