Samsung показала память для ИИ, которая может оказаться в 8 раз быстрее HBM5
На FMS 2026 компания представила концепцию zHBM, прототип V10 V-NAND с более чем 400 слоями и новое поколение памяти для ИИ-серверов Samsung Electronics представила на конференции Future of Memory and Storage (FMS) 2026 сразу несколько разработок для систем искусственного интеллекта, включая концепцию памяти zHBM, прототип V10 Bonding V-NAND с более чем 400 слоями и обновлённую дорожную карту памяти для ИИ-серверов. Наиболее заметной новинкой стала архитектура zHBM, которая размещает высокоскоро














