TSMC сообщила о прорыве в разработке транзисторов следующего поколения — она создала 2D-транзистор из дисульфида молибдена

Тайваньские учёные в сотрудничестве с инженерами TSMC разработали новый способ изготовления транзисторов на основе одноатомного слоя дисульфида молибдена (MoS₂), который позволяет существенно повысить эффективность управления током и приблизить двумерную электронику к производству микросхем. Проблемой были даже не материалы, а методы их соединения, когда атомы сближаются так тесно, что начинают резко влиять друг на друга.