Создатели российской атомной бомбы разработают передовую установку для производства микрочипов

На это выделили почти 1,5 млрд рублей

Российский федеральный ядерный центр ВНИИЭФ, входящий в структуру «Росатома», займется разработкой отечественной установки для жидкостного химического травления полупроводниковых пластин. На опытно-конструкторские работы по проекту «Спрей» Минпромторг выделил 1,43 млрд рублей. Завершить разработку оборудования планируется до 30 ноября 2029 года.

Новая установка предназначена для обработки кремниевых пластин диаметром до 200 мм и будет использоваться на предприятиях микроэлектронной промышленности. В автоматическом режиме она сможет выполнять сразу несколько технологических операций: химическое травление, очистку, промывку и сушку пластин.

Согласно техническому заданию, оборудование должно обрабатывать до 100 пластин за один цикл — это четыре стандартные кассеты. Установка будет работать с различными химическими реагентами, а также поддерживать автоматическую загрузку и выгрузку пластин через систему SMIF, которая минимизирует риск загрязнения.

К оборудованию предъявляются и высокие требования по надежности. Равномерность травления должна составлять не ниже 5%, наработка на отказ — не менее 2000 часов, а расчетный срок службы установки — не менее семи лет.

Проект является частью программы импортозамещения оборудования для производства микроэлектроники. В качестве зарубежных аналогов названы установки американских компаний Shellback и Siconnex, а также японской Tokyo Electron. При этом в документации отмечается, что российских аналогов подобных систем на сегодняшний день не существует.

Особый акцент сделан на локализации производства. Ключевые узлы установки —процессная камера, система подачи химических реагентов, ротор, центральный контроллер и ПО — должны быть разработаны и произведены в России. Использование иностранных компонентов допускается только после согласования с заказчиком.

Для ВНИИЭФ это уже второй крупный государственный контракт в области оборудования для микроэлектроники за последнее время. Ранее институт получил заказ стоимостью почти 993 млн рублей на разработку комплекса для бондинга и дебондинга полупроводниковых пластин. Таким образом, всего за две недели предприятие привлекло более 2,4 млрд рублей государственных инвестиций в развитие отечественных технологий производства микрочипов.

Основанный в 1946 году в Сарове РФЯЦ-ВНИИЭФ известен как разработчик первых советских атомной и водородной бомб.