Samsung анонсировала память zHBM и zNAND-O, показала LPDDR5X-PIM и V10 BV-NAND

Производители памяти уже смотрят в более далёкое будущее, в котором у прирастающей числовыми индексами HBM появятся более прогрессивные преемники. Компания Samsung Electronics собирается продвигать память типа zHBM, которая обещает обладать в восемь раз более высоким быстродействием по сравнению с HBM5. При этом плотность хранения данных окажется более чем в 10 раз выше.