Китайцы создали идеальную память: для хранения бита ей нужен всего один электрон

Учёные Фуданьского университета (Fudan University) в Шанхае создали экспериментальную энергонезависимую память, в которой для хранения одного бита достаточно единственного электрона — минимально возможного носителя электрического заряда. Для коммерциализации этой разработки будет создана компания, которая намерена вывести продукт на рынок в течение трёх–пяти лет.