Китайцы создали идеальную память: для хранения бита ей нужен всего один электрон
Учёные Фуданьского университета (Fudan University) в Шанхае создали экспериментальную энергонезависимую память, в которой для хранения одного бита достаточно единственного электрона — минимально возможного носителя электрического заряда. Для коммерциализации этой разработки будет создана компания, которая намерена вывести продукт на рынок в течение трёх–пяти лет.
Это отрывок статьи. Полную версию читайте на сайте источника по ссылке ниже.
Источник: 3DNews
Упоминания в статье
Китай