$200 млрд на память и другие чипы: Samsung заключила крупнейшее соглашение с Broadcom

Партнерство рассчитано до 2030 года

Samsung Electronics объявила о расширении сотрудничества с американской Broadcom. Компании подписали соглашение, предусматривающее совместную работу в области производства микросхем памяти, контрактного выпуска полупроводников и передовых технологий корпусирования. Общий объем сотрудничества до 2030 года, как ожидается, превысит 200 млрд долларов.

Одним из ключевых направлений станет производство для Broadcom новых коммуникационных чипов, предназначенных для высокоскоростной передачи данных. Их планируется выпускать по 2-нм техпроцессу Samsung. Кроме того, компании займутся разработкой следующего поколения памяти HBM, которая играет важную роль в ускорителях искусственного интеллекта и высокопроизводительных вычислительных системах.

Для Samsung сделка имеет стратегическое значение, поскольку поможет увеличить загрузку контрактных производственных мощностей и укрепить позиции в конкуренции с лидером рынка TSMC. Компания активно наращивает присутствие в сегменте ИИ-чипов: ранее она сообщала о переговорах с Nvidia по будущим поколениям памяти HBM4E и HBM5, а в прошлом году получила контракт Tesla стоимостью 16,5 млрд долларов на выпуск логических микросхем.