В Китае создали флеш-память, которой нужен всего один электрон
В основе разработки лежит двумерная структура на основе графена Китайские ученые из Фуданьского университета представили экспериментальную флеш-память нового поколения, которая способна хранить информацию, используя всего один электрон. Если технология выйдет за пределы лаборатории, она может радикально снизить энергопотребление электроники. Изображение сгенерировано mai-image-2.5 Сейчас для надежного хранения одного бита данных микросхемам памяти требуется около 200 тысяч электронов. Такой запа