В Китае представлен ИИ-ускоритель DF1000 с памятью 3D DRAM

Китайская компания Dongfang Suanxin (Shanghai Oriental Compute Core Technology) объявила о разработке ИИ-ускорителя DF1000. Новинка выполнена полностью на отечественных компонентах, а вместо дорогостоящей памяти HBM применяется 3D DRAM. Устройство использует концепцию «вычислений вблизи памяти» (Near-In-Memory Computing). Чип 3D DRAM имеет многослойную структуру, созданную с использованием технологии гибридного соединения: утверждается, что применённый подход позволяет уменьшить шаг интерконнекта с микрометрового до субмикрометрового уровня. В результате по сравнению с традиционными решениями количество сквозных межсоединений увеличивается в 10 раз. А это даёт возможность поднять пропускную способность памяти в пять раз при той же ёмкости. Таким образом, может быть сформирован аналог HBM.